HISTORY

コーデンシの歩み

1980年~1990年

1980

1980年

  • ・第3工場士地(1,868m2)取得(3月)
  • ・韓国KODENSHI株式会社設立

1981年

  • ・太陽電池シルクスクリーン法で生産した電卓用シリコン単結晶太陽電池を発売
  • ・拡散ウエハー型フォトトランジスタを開発
  • ・リモコン用フォトダイオードを生産

1982年

  • ・11月 第3工場建物が完成
  • ・12月 資本金を7,200万円に増資する
  • ・太陽電池ウエハープロセスを韓国KODENSHI株式会社(KKC)へ移管
  • ・光学式エンコーダを開発
  • ・厚さ0.55ミリの太陽電池モジュールを開発

1983年

  • ・トランスファモールド(樹脂成型)品を内製化
  • ・ハイブリッドICを開発
  • ・プレーナ型フォトダーリントントランジスタ素子を開発
  • ・拡散ウエハー型フォトトランジスタを開発
  • ・BN拡散プロセスを開発

1984年

  • ・4月 資本金を1億3,800万円に増資する
  • ・8月 資本金を1億5,600万円に増資する
  • ・10月 資本金を5億6,900万円に増資する
  • ・4インチシリコンウエハープロセス、化合物ウエハープロセスラインを第3工場に設置
  • ・ガリウム・アルミニウム・ヒ素(GaAlAs)⾚外発光ダイオードを発売
  • ・光通信用高速・高出力発光ダイオードを発売
  • ・バイポーラICのOEM生産開始
  • ・太陽電池バッテリーチャージャーOEMの生産開始

1984年

  • ・11月 第3工場建物が完成
  • ・12月 資本金を7,200万円に増資する
  • ・太陽電池ウエハープロセスを韓国KODENSHI株式会社(KKC)へ移管
  • ・光学式エンコーダを開発
  • ・厚さ0.55ミリの太陽電池モジュールを開発

1985年

  • ・1月 資本金を8億7,000万円に増資する
  • ・光リモコン受光ユニット(シールドリモコン)を開発
  • ・フォトICセンサー(PICS:ピックス)を開発
  • ・CD用16分割フォトダイオードを開発
  • ・SiN膜による反射防⽌膜工程にCVD装置を導入

1986年

  • ・フォトICセンサー(PICS)を発売
  • ・HDD用エンコーダを開発

1987年

  • ・ペーパーセンサーを発売
  • ・インプラレス高抵抗プロセスを確立
  • ・ポジションセンサーを開発

1988年

  • ・負性抵抗トランジスタBAMBIT(バンビット)を開発

1989年

  • ・4月 資本金を8億8,875万円に増資する
  • ・平行光LEDを発売
  • ・サーマルプリントヘッドを開発
  • ・ロジックフォトトランジスタを開発
  • ・フォトICプロセスの確立