受光チップ
LIGHT RECEIVING CHIP鉛フリーRoHS 指令標準

●受光チップ（フォトダイオード）
フォトダイオードは、一般に光電効果を利用した受発光素子です。以下が特徴として挙げられます。
・プレーナ構造であるため、ダイオード特性（カーブファクター）が良く、負荷をかけた時の動特性に優れています。
・低照度から高照度まで光電流の直線性が良好です。
・素子間の光出力のバラツキが同一組立状態で少ないです。
・応答速度が速いです。
・分光感度波長が広いです。

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感度	0.53 0.54
端子間容量 (Typ.)	pF　～ pF	ピーク感度波長 (Typ.)	nm　～ nm

感度

0.53 0.54

端子間容量
(Typ.)

pF　～

ピーク感度波長
(Typ.)

nm　～

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品番	特長	量産状態〇：量産中 △：要問合せ	暗電流	暗電流	端子間容量	分光感度	分光感度	感度	ピーク感度波長	チップサイズ	受光部サイズ
			VR=5V	VR=5V	VR=5V
			Max.	Typ.	Typ.	Min.	Max.	Typ.	Typ.
			PD-07N		product_featureフォトダイオードチップ P on N PIN type	production_status〇	dark_current20 nA	dark_current_typ-	terminals_content3 pF	spectral_sensitivity_min450 nm	spectral_sensitivity_max1050 nm	sensitivity_txt0.54 A/W（λ=780 nm）	peak_wavelength920 nm	chip_size0.67 × 0.67 mm	active_area0.52 × 0.52 mm
PD-012	product_featureフォトダイオードチップ P on N PIN type	production_status〇	dark_current20 nA	dark_current_typ-	terminals_content5 pF	spectral_sensitivity_min450 nm	spectral_sensitivity_max1050 nm	sensitivity_txt0.54 A/W（λ=780 nm）	peak_wavelength920 nm	chip_size1.17 × 1.17 mm	active_area0.94 × 0.94 mm
PD-02B	product_featureフォトダイオードチップ N on P	production_status〇	dark_current3 nA	dark_current_typ-	terminals_content13 pF	spectral_sensitivity_min450 nm	spectral_sensitivity_max1050 nm	sensitivity_txt0.43 A/W（λ=660 nm）	peak_wavelength850 nm	chip_size0.67 × 0.67 mm	active_area0.54 × 0.54 mm
PD-16B	product_featureフォトダイオードチップ N on P	production_status〇	dark_current10 nA	dark_current_typ-	terminals_content63 pF	spectral_sensitivity_min450 nm	spectral_sensitivity_max1050 nm	sensitivity_txt0.43 A/W（λ=660 nm）	peak_wavelength850 nm	chip_size1.57 × 1.57 mm	active_area1.28 × 1.28 mm
PD-024-S	product_feature2分割フォトダイオードチップ	production_status〇	dark_current20 nA	dark_current_typ-	terminals_content3.5 pF	spectral_sensitivity_min450 nm	spectral_sensitivity_max1050 nm	sensitivity_txt0.40 A/W（λ=680 nm）	peak_wavelength-	chip_size3.53 × 1.32 mm	active_area(1.585×0.97 mm)×2
PD-636	product_feature青紫帯高感度フォトダイオード	production_status〇	dark_current2 nA	dark_current_typ0.05 nA	terminals_content18 pF	spectral_sensitivity_min350 nm	spectral_sensitivity_max950 nm	sensitivity_txt0.24 A/W（λ=405 nm）	peak_wavelength720 nm	chip_size1.37 × 1.37 mm	active_area1.14 × 1.14 mm
PD-638	product_featureUV-C 高感度フォトダイオード	production_status△	dark_current2 nA	dark_current_typ0.01 nA	terminals_content16 pF	spectral_sensitivity_min250 nm	spectral_sensitivity_max950 nm	sensitivity_txt0.16 A/W（λ=255 nm）	peak_wavelength750 nm	chip_size1.37 × 1.37 mm	active_area1.13 × 1.13 mm
PD-639	product_feature青紫帯高感度フォトダイオード	production_status△	dark_current2 nA	dark_current_typ0.05 nA	terminals_content3.4 pF	spectral_sensitivity_min350 nm	spectral_sensitivity_max950 nm	sensitivity_txt0.24 A/W（λ=405 nm）	peak_wavelength720 nm	chip_size0.70 × 0.70 mm	active_area0.56 × 0.56 mm
PD-642	product_featureUV-C 高感度　フォトダイオード	production_status△	dark_current5 nA	dark_current_typ0.2 nA	terminals_content160 pF	spectral_sensitivity_min250 nm	spectral_sensitivity_max950 nm	sensitivity_txt0.16 A/W（λ=255 nm）	peak_wavelength750 nm	chip_size3.97 × 3.97 mm	active_area3.73 × 3.73 mm
DS3-16	product_featureフォトダイオードチップ P on N PIN type	production_status-	dark_current-	dark_current_typ-	terminals_content-	spectral_sensitivity_min-	spectral_sensitivity_max-	sensitivity_txt-	peak_wavelength-	chip_size-	active_area-
DS3-20	product_featureフォトダイオードチップ P on N PIN type	production_status-	dark_current-	dark_current_typ-	terminals_content-	spectral_sensitivity_min-	spectral_sensitivity_max-	sensitivity_txt-	peak_wavelength-	chip_size-	active_area-
DD3-30	product_featureフォトダイオードチップ P on N PIN type	production_status-	dark_current-	dark_current_typ-	terminals_content-	spectral_sensitivity_min-	spectral_sensitivity_max-	sensitivity_txt-	peak_wavelength-	chip_size-	active_area-