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ウェハプロセス ファウンドリー・ 受託サービス（シリコン・化合物）
ウェハプロセス ファウンドリー・ 受託サービス（シリコン・化合物）
コーデンシでは光半導体を生産するウェハプロセスファブを保有しており、自社オリジナルの受光/発光/MEMSチップの生産に加え、お客様の要望に合わせたカスタムチップも受託開発、生産しています。少量カスタム品の試作や単工程の受託加工、量産対応のご依頼まで承っております。
【コーデンシの加工実績】
■点光源 LED カスタム設計
■フォトダイオードカスタム設計
■酸化膜-導波路
■マイクロ真空計センサ
生産拠点
①日本（京都府宇治市）
主要デバイス：PD、IC、MEMS
材料：Si
ウェハサイズ：6 inch
工場・装置：フォトリソグラフィー、成膜、エッチング装置
認証：ISO 9001、ISO14001
②韓国（益山市）
主要デバイス：PD、LED
材料：Si、Compound（GaAs）
ウェハサイズ：Si 6 inch、GaAs、4 inch
工場・装置：フォトリソグラフィー、成膜、エッチング装置
認証：ISO 9001、ISO14001、ISO/TS 16949
【最新情報】
2025年導入装置
・Si深堀エッチング装置※ボッシュプロセス
本装置はボッシュプロセスによるSi深堀り加工を行うICPドライエッチング装置です。
高アスペクト比でSiを深く加工でき、MEMSや微細加工分野における立体構造の形成に利用されています。
・酸化膜RIE装置※磁気中性線プラズマ（NLD）
本装置は、磁気中性線プラズマ（NLD）を用いてシリコン酸化膜の加工を行うドライエッチング装置です。
シリコン酸化膜を垂直に加工でき、光導波路やMEMS加工に利用されています。
今後も、上記装置を活用した様々な応用製品の開発・展開を進めてまいります。
