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Emitter Element

Infrared radiation is often used in applications involving sensing of electromagnetic radiation. GaAs(gallium arenide) is the material most often used in infrared sensors because of its high output, suitability for volume production and low cost. Customer can select the configuration that is easiest to use considering the light receiving sensitivity of the photo detector, and the transmissivity. We provide many variations.

EL-1CL3EL-1CL3Infrared Emitting Diode(GaAs)φ3セラミック,樹脂ポッティング60 mA4 V95 mW-20 ℃70 ℃1.5 V40 mA1.8 mW40 mA940 nm-53 °53 °
EL-1K3EL-1K3Infrared Emitting Diode(GaAs)TO-18,フラットレンズ100 mA5 V170 mW-40 ℃100 ℃1.7 V100 mA4 mW100 mA940 nm-36 °36 °
EL-1KL3EL-1KL3Infrared Emitting Diode(GaAs)TO-18,レンズ付100 mA5 V170 mW-30 ℃100 ℃1.7 V100 mA7 mW100 mA940 nm-15 °15 °
EL-1KL5EL-1KL5Infrared Emitting Diode(GaAs)TO-18,レンズ付100 mA5 V170 mW-40 ℃100 ℃1.7 V100 mA5 mW100 mA940 nm-5 °5 °
EL23GEL23GInfrared Emitting Diode(GaAs)樹脂モールド,レンズ付60 mA5 V100 mW-20 ℃100 ℃1.6 V60 mA8 mV50 mA940 nm-30 °30 °
EL321EL321Infrared Emitting Diode(GaAs)樹脂モールド,レンズ付50 mA5 V75 mW-20 ℃85 ℃1.5 V20 mA550 μA4 mA940 nm-30 °30 °
EL333EL333Infrared Emitting Diode(GaAs)樹脂モールド,レンズ付50 mA5 V75 mW-25 ℃85 ℃1.5 V50 mA3 mV20 mA940 nm-20 °20 °
EL333FEL333FInfrared Emitting Diode(GaAs)樹脂モールド,レンズ付50 mA5 V75 mW-25 ℃85 ℃1.2 V50 mA3 mV20 mA940 nm-20 °20 °
EL333F1EL333F1Infrared Emitting Diode(GaAs)樹脂モールド,レンズ付50 mA5 V75 mW-25 ℃85 ℃1.2 V50 mA3 mV20 mA940 nm-20 °20 °
EL341EL341Infrared Emitting Diode(GaAs)φ3樹脂モールド,レンズ付50 mA3 V75 mW-25 ℃80 ℃1.5 V20 mA25 mW/sr50 mA940 nm-14 °14 °
EL342EL342Infrared Emitting Diode(GaAs)φ3樹脂モールド,レンズ付50 mA3 V75 mW0 ℃60 ℃1.5 V20 mA14 mW50 mA940 nm-35 °35 °
EL615EL615Infrared Emitting Diode(GaAs)COB,レンズ付,小型表面実装50 mA5 V60 mW-20 ℃70 ℃1.6 V20 mA1.9 mW20 mA940 nm-20 °20 °
CL-1CL3CL-1CL3Infrared Emitting Diode(GaAlAs)φ3セラミック,樹脂ポッティング60 mA4 V95 mW-20 ℃70 ℃1.5 V40 mA7 mW40 mA880 nm-53 °53 °
CL-1KL3CL-1KL3Infrared Emitting Diode(GaAlAs)TO-18,レンズ付100 mA5 V170 mW-30 ℃100 ℃1.7 V100 mA7.5 mW100 mA880 nm-17 °17 °
CL-1KL7CL-1KL7Infrared Emitting Diode(GaAlAs)TO-18,レンズ付100 mA5 V200 mW-30 ℃100 ℃2 V100 mA8 mW100 mA880 nm-8 °8 °
CL-203CL-203Infrared Emitting Diode(GaAlAs)TO-46,レンズ付80 mA5 V160 mW-40 ℃100 ℃2 V80 mA5 mW50 mA880 nm-9 °9 °
CL-205CL-205Infrared Emitting Diode(GaAlAs)TO-46,レンズ付80 mA3 V160 mW-30 ℃100 ℃2 V50 mA10 mW50 mA870 nm-9 °9 °
CL-207CL-207Infrared Emitting Diode(GaAlAs)TO-18,フラットレンズ100 mA5 V170 mW-30 ℃100 ℃1.6 V20 mA2 mW20 mA880 nm-35 °35 °
CL-209CL-209Infrared Emitting Diode(GaAlAs)TO-46,樹脂ポッティング80 mA5 V140 mW-20 ℃80 ℃1.6 V20 mA4.5 mW20 mA880 nm-85 °85 °
CL-211CL-211Infrared Emitting Diode(GaAlAs)TO-18,レンズ付50 mA4 V85 mW-30 ℃85 ℃1.6 V20 mA5 mW20 mA870 nm-12 °12 °
ML-1CL3ML-1CL3Infrared Emitting Diode(GaAlAs)φ3セラミック,樹脂ポッティング50 mA3 V80 mW-20 ℃70 ℃1.7 V50 mA8 mW20 mA865 nm-53 °53 °
ML341HML341Hφ3砲弾型80 mA3 V150 mW-30 ℃100 ℃1.6 V20 mA3.2 mW20 mA870 nm-14 °14 °
HL601HL601Infrared Emitting Diode(GaAlAs)COB,小型表面実装50 mA5 V85 mW-20 ℃70 ℃1.7 V20 mA1.5 mW20 mA850 nm-75 °75 °
ML615ML615Infrared Emitting Diode(GaAlAs)COB,レンズ付,小型表面実装50 mA4 V70 mW-20 ℃70 ℃1.6 V20 mA2.8 mW20 mA875 nm-20 °20 °
HL615HL615Infrared Emitting Diode(GaAlAs)COB,レンズ付,小型表面実装50 mA5 V70 mW-20 ℃70 ℃1.6 V20 mA2.6 mW20 mA850 nm-20 °20 °
BL15-1101HPin-point LEDTO-46,フラットレンズ40 mA3 V120 mW-30 ℃85 ℃2.8 V20 mA0.8 mW20 mA650 nm-60 °60 °
BL15-1212HBL15-1212HPin-point LEDTO-46,フラットレンズ,ボールレンズ40 mA3 V120 mW-30 ℃85 ℃2.8 V20 mA1 mW20 mA650 nm-18 °18 °
Image Number Feature パッケージForward CurrentReverse VoltagePower DissipationOperating Temp.Operating Temp.Forward VoltageForward VoltageRadiant IntensityRadiant IntensityRadiant IntensityRadiant IntensityRadiant IntensityPeak Emission Wave LengthHalf angleHalf angle
IFVRPDTopr.Topr.VFIFPoPoPoPoIFλPΔθΔθ
             Representative CharacteristicRepresentative Characteristic
Min.Max.Max.Typ.Typ.Typ.Typ.Typ.Min.Max.

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